TUGAS AKHIR PERKULIAHAN
ARSITEKTUR KOMPUTER
DESAIN ARSITEKTUR MEMORY DRAM
Nama : Munir
NIM : 0310115261366
Dosen : Jhon Andra
FAKULTAS ILMU KOMPUTER
UPI YPTK PADANG
2008
Desain DRAM untuk meningkatkan performa
______________________________________________________________________________________ARSITEKTUR KOMPUTER
DESAIN ARSITEKTUR MEMORY DRAM
Nama : Munir
NIM : 0310115261366
Dosen : Jhon Andra
FAKULTAS ILMU KOMPUTER
UPI YPTK PADANG
2008
Desain DRAM untuk meningkatkan performa
Pendahuluan
Memori pada komputer terbagi atas urutan atau level tertentu. Pembagian level ini di golongkan berdasarkan ukuran, kecepatan, dan “biaya” per-byte dari devais penyimpan. Secara umum, hierarki memori terdiri atas beberapa level, yaitu :
Level 0 Register
Level 1 On-Chip L1 cache (SRAM)
Level 2 Off-Chip L2 cache (SRAM)
Level 3 Main Memori (DRAM)
Level 4 Local Secondary Storage (Disk Lokal)
Level 5 Remote Secondary Storage (distributed file system, web servers)
Atau dapat dilihat dari gambar berikut:
Dari level memori di atas, kita lihat, bahwa data yang diproses berasal dari level ter-rendah hingga level tertinggi. Data yang diproses di register diambil atau berasal dari L1
1
Desain DRAM untuk meningkatkan performa
______________________________________________________________________________________
cache. Sedangkan word data dari L1 cache diambil dari L2 cache, begitu seterusnya hingga level terbawah (level 4 atau level 5).
Dari penjelasan di atas, dapat kita ketahui, bahwa permintaan processor akan suatu word data yang tersimpan di hard-disk, membutuhkan suatu urutan atau alur tertentu. Secara kasar, alurnya sebagai berikut:
Hard-disk memori utama L2 cache L1 cache register
Operasi dari hierarki memory dapat digambarkan sebagai berikut:
Namun perlu di ingat, bahwa semua permintaan akan word data yang diminta oleh processor tidak selalu dicari mulai dari hard-disk. Cache memegang peranan amat penting dalam proses permintaan data oleh processor. Semakin “pandai” cache dalam menyimpan data yang diperkirakan akan sering diminta oleh processor, semakin singkat waktu yang dibutuhkan untuk memproses atau memberikan data tersebut ke processor. Bila tanpa adanya cache, dapat kita bayangkan bahwa untuk memproses suatu data, processor harus selalu mencari dari hard-disk atau dari memori utama yang ukurannya jauh lebih besar dibandingkan cache. Bila ini terjadi, alangkah terbuangnya waktu yang dibutuhkan hanya untuk mencari suatu data saja.
2
Desain DRAM untuk meningkatkan performa
______________________________________________________________________________________
Dasar Teori
MAIN MEMORY
Sebagaimana kita ketahui, main memory merupakan penghubung utama antara data dari storage menuju pemprosesan di prosesor. Memory terbuat dari bahan semikonduktor. Ada beberapa macam tipe semikonduktor memori. Yang paling mendasar antara lain:
• RAM : Merupakan tipe read-write memori. Penulisan data secara elektrik dan akan kehilangan data bila tidak ada listrik.
• ROM : Merupakan tipe read-only memori. Penulisan data dilakukan secara “mask”, dan dapat menyimpan data meski tidak dialiri listrik
Kita akan lebih membahas mengenai tipe random access memory (RAM).
Teknologi RAM terbagi dua, yaitu statik RAM (SRAM) dan dinamik RAM (DRAM). Kedua RAM ini berjenis volatile. Dinamik RAM terbuat dari sel-sel yang menyimpan data sebagai muatan di kapasitor. Kehadiran muatan di kapasitor ditandai atau dilambangkan dalam biner. Dalam statik RAM, nilai biner disimpan menggunakan konfigurasi gerbang logika flip-flop tradisional. Static RAM digunakan secara luas pada cache memory level 2, dimana kecepatannya dibutuhkan dan memori yang relatif kecil akan menuju pada peningkatan performa yang signifikan. Sebuah processor performa tinggi tahun 1998 umumnya memiliki 512kB sampai 4Mbyte L2 cache. Karena SRAM tidak butuh untuk di refresh, konsumsi daya SRAM akan lebih kecil dari DRAM. Dengan tidak membutuhkan refresh, circuitnya akan lebih simple.
Elemen dasar dari semikonduktor memori adalah sel memori. Meskipun tiap memori memiliki teknologi yang berbeda, tetapi terdapat beberapa kesamaan , antara lain:
• Representasi nilai biner dengan menggunakan dua stable state (semistable)
• Sanggup untuk ditulisi (paling tidak sekali), untuk men-set state nya
• Sanggup untuk dibaca untuk mendeteksi kondisi statenya.
3
Desain DRAM untuk meningkatkan performa
______________________________________________________________________________________
Seperti dalam suatu produk IC, semikonduktor memori juga memiliki chip tersendiri, dimana tiap chip mengandung array sel memori. Untuk memori semikonduktor, salah satu masalah dalam kunci design adalah dalam hal jumlah bit data yang dapat dibaca atau ditulis pada suatu waktu tertentu. Salah satu yang ekstrem adalah dalam organisasi dimana penyusunan fisik dari array sel adalah sama dengan penyusunan secara logika dari word di memori. Array diatur menjadi W word dari tiap-tiap B bit. Contohnya, 16 Mbit chip dapat diatur sebagai 1M 16-bit word. Ada juga yang disebut dengan organisasi one-bit-per-chip, dimana data data dibaca dan ditulis satu bit tiap waktu.
Kita akan membahas lebih banyak mengenai DRAM
DRAM
Salah satu sisi kritis dari system bottleneck ketika digunakan prosesor kecepatan tinggi adalah interface ke internal main memory. Interface ini merupakan jalan penting pada seluruh sistem komputer. Tradisional chip DRAM terbentur oleh internal arsitekturnya sendiri dan juga interfacenya ke memory bus prosesor. Namun, sekarang ini, sudah banyak beredar DRAM yang memiliki kelebihan yang jauh lebih baik dibanding yang tradisional. Ada beberapa kondisi yang mempengaruhi kerja memory, antara lain:
Access modes
Hampir semua DRAM membutuhkan alamat yang dipergunakan di devais untuk kemudian dinyatakan dalam dua bagian : baris alamat dan kolom alamat. Ini akan menimbulkan efek kerusakan/kekacauan pada waktu akses, tetapi akan dapat menghasilkan devais dengan tingkat kerapatan yang lebih besar (lebih sedikit pin yang
4
Desain DRAM untuk meningkatkan performa
______________________________________________________________________________________
digunakan). Dengan pin yang lebih sedikit, baris dan kolom alamat akan mempergunakan pin yang sama dalam baris dan kolom alamat dari fasa akses.
a
y
age mode
d
5
Desain DRAM untuk meningkatkan performa
______________________________________________________________________________________
Akses baca untuk devais DRAM yang sedang beroperasi pada page mode.
EDRAM (Enhanched DRAM) merupakan model DRAM yang paling simple, dan memiliki SRAM cache yang terintegrasi di dalamnya. Dalam model EDRAM 4 bit, SRAM cache-nya akan menyimpan seluruh isi dari baris terakhir yang dibaca, dimana terdiri dari 2048 bit, atau 512 4-bit potongan. Sebuah komparator menyimpan 11-bit nilai dari alamat baris yang sering diakses. Jika akses
yang cep
ukurannya lebih besar dari EDRAM. SRAM ini dapat digunkan dalam dua arah. Pertama, itu dapat digunakan sebagai cache sesungguhnya, yang mengand
6
Desain DRAM untuk meningkatkan performa
______________________________________________________________________________________
bit lines. Kedua, SRAM-nya dapat digunakan sebagai buffer untuk men-support akses serial dari blok data. Ramlink merupakan inovasi radikal pada DRAM tradisional. Ramlink lebih memfokuskan pada interface memory dan prosesor daripada arsitektur internal dari chip DRAM. RDRAM, merupakan memory yang melakukan pendekatan lebih kepada masalah bandwith. R
pin berada pada satu sisi. Chips akan melakukan pertukaran data dengan processor melalui 28 jalur (kabel) yang tidak lebih panjang dari 12 cm. Bus nya dapat menampung alamat lebih dari 320 RDRAM chip dan dengan rata-rata kecepatan sekitar 500-Mbps. Oleh karena itulah, RDRAM memiliki kecepatan yang jauh lebih besar diban
harga jual dari RDRAM ini masih jauh di atas harga model SDRAM. SDRAM merupakan tipe DRAM yang berbeda. Rata-rata DRAM merupakan model asynchrono
synchronous. SDRAM melakukan pertukaran data dengan prosesor yang di sinkronisasi ke sinyal clock eksternal dan berjalan pada kecepatan penuh pada bus memory/prosesor tanpa mengganggu state. Pada DRAM yang umum (asynchronous), alamat prosesor pada suatu saat dan level ke memory, mengindikasikan bahwa set data pada lokasi memory tertentu itulis atau dibaca. Selama delay saat access-time, DRAM akan mengerjakan ai macam fungsi internal, seperti mengaktifkan kapasitansi tinggi pad
merasakan data, dan merute-kan data keluar melalui output buffer. Dengan an, processor akan menunggu selama delay ini, sehingga akan memperlambat a. Dengan menggunakan mode akses synchronous, pergerakan data masuk dan
in
ertentu. Dengan demikian, prosesor dapat dengan aman melakukan tugas lain sementara SDRAM memproses request.
7
Desain DRAM untuk meningkatkan performa
______________________________________________________________________________________
Pada SDRAM juga dikenal istilah SDR (single date rate) dan DDR (double date rate). SDR SDRAM dapat diartikan sebagai DRAM yang memiliki kemampuan transfer data secara single line (satu jalur saja). Sementara DDR SDRAM memiliki kemampuan untuk melakukan transfer data secara double line. Nam
ter. Masalah tersebt ada pada BUS system. Sebagaimana kita ketahui, DRAM memiliki kecepatan sendiri, sementara BUS juga mempunyai spesifikasi kesanggupan tersendiri. Bila hanya DRAM saja yang mengalami peningkatan tanpa adanya pembaharuan dari BUS, maka dapat dipastikan peningkatan performa system tidak akan signifikan. Dapat kita bayangkan pada g
meningkatkan intensitas kedatangan truk pembawa beras untuk kemudian disimpan di gudang, namun selama gudang tidak bertambah, beras yang sanggup di tampung gudang akan sama saja. Kelebihan lainnya sifatnya akan menunggu hingga ada ruang kosong di gudang.
Di bawah ini dapat kita lihat perkembangan kecepatan frekuensi pada prosesor dengan perkembangan kecepatan frekuensi BUS.
8
Desain DRAM untuk meningkatkan performa
______________________________________________________________________________________
Gambar di atas menunjukkan rasio antara frekuensi clock prosesor dengan
frekuensi BUS. Dapat dilihat bahwa pada frekuensi processor, peningkatan yang terjadi
amatlah drastis, sementara peningkatan frekuensi bus masih tetap saja atau hanya sedikit
peningkatannya. Bus frekuensi akan menentukan kecepatan atau kesanggupan
pentransferan informasi antara prosesor dengan memory. Perbedaan kecepatan yang
cukup besar ini menunjukkan pentingnya melakukan manajemen memory secara efektif
9
Desain DRAM untuk meningkatkan performa
______________________________________________________________________________________
M
keterb
akses, kompatibilitas dengan sistem komput
m
kom
s
1.
dibandingka
sudah tergolong cepat sekali. Nam
kembang pesat, bahkan hingga mencapai di atas 600MHz. Ada beberapa langkah yang dapat dilakukan untuk dapat meningkatkan kecepatan DRAM. Peningkatan ini dapat dilakukan dari segi fisik RAM, setting system, maupun penggunaan support system yang tepat.
Kita dapat meningkatkan kecepatan memory, dengan mengatur setting RAM pada bios motherboard. Kita dapat mengatur setting memory sebagai berikut:
Dengan m
memperoleh tingkat kelambatan akses terhadap kolom alamat menjadi lebih singkat. • Active to Precharge Delay. Dengan melakukan set nilai di bagian ini, kita dapat memperoleh waktu delay dalam perubahan status memory dari ko
10
Desain DRAM untuk meningkatkan performa
______________________________________________________________________________________
• DRAM RAS# to CAS# Delay Dengan melakukan setting pada bagian ini, kita dapat memperoleh/mengatur waktu delay dari memo
dari posisi baris ke posisi kolom.
at mengakomodasi perubahan kecepata memo
n seluruhnya. Tapi perlu diingat juga, peningkatan kecepatan juga akan katkan panas dari memory. Selain itu, kita juga harus memperhatikan puan dari mem
mory dengan nilai yang tidak sanggup diakom
erjadi error atau hang pada sistem kita. katan kecepatan memory juga dapat dilakukan dari melakukan pemasangan pa memory dalam mode dual channel. Metode dual channel ini m
yadi support oleh beberapa motherboard. Na
gi ini, kita dapat menikmati kecepatan memory sekitar dua kali lipat dari a. Penggunaan RDRAM memang merupakan solusi untuk mendapat tan memory yang tinggi. Na
channel DRAM, kita bisa mendapatkan kecepatan melebihi RDRAM dengan biaya yang lebih murah. Pada penggunaan dual channel, memory dapat bekerja dua kali lebih cepat. Hal ini dikarenakan sistem mampu mentransfer data pada bus dua kali lipat. Untuk memory DDR yang menggunakan data bus 64-bit. jumlah bit-nya akan menjadi 128-bit. Syarat lain dalam penggunaan teknologi
m
pun harus sama.
11
Desain DRAM untuk meningkatkan performa
______________________________________________________________________________________
C.
ory selama ini.
Meningkatkan kemampuan dari chip dan periperal elektronik lainnya yang membentuk sebuah RAM secara utuh. Sebagimana kita ketahui, komponen elektronik dalam sebuah RAM terdiri dari bermacam jenis. Mulai dari chip memory, kapasitor, transistor, dan lain-lain. Komponen ini adalah bagian terpenting yang umum di-“utak-atik” oleh para developer memory untuk dapat meningkatkan kinerja (kecepatan) mem
Sebagaimana kita ketahui, sebuah sel memori menggunakan single transistor dan kapasitor untuk menyimpan bit data. Dapat kita lihat dari gambar di bawah:
Sebuah tipikal DRAM, dengan single MOSFET dan kapasitor penyimpan. Dari gambar di atas, kita dapat melihat bahwa peran ko
transistor dan kapasitor amat berpengaruh dalam pentransferan bit data atau word. Sehingga dengan melakukan penambahan atau peningkatan jumlah tran
m
12
Desain DRAM untuk meningkatkan performa
______________________________________________________________________________________
dapat diha gurangan waktu
akses efektif.
nimumkan propagasi delay dan memaksimumkan performa DRAM.
2. Ko
kriteria
atau tipe DRAM yang berbeda, kita perlu menganti support system kita menjadi system
yang m
maka b
akan b
mempu
ini, ant
A. enciptakan sebuah modul (devais) konverter bagi tiap jenis RAM. Sebagaimana
erbeda yang diperlukan dalam melakukan
pengaksesan data.
konverter memory ini, kita dapat memasang berbagai tipe
silkan performa system yang lebih baik melalui pen
Jalur alamat untuk DRAM dapat dibagi menjadi 2 bagian, yaitu jalur alamat baris dan kolom. Desain dari tiap jalur ditetapkan oleh requirement yang khusus. Jalur alamat, berbeda dengan jalur data, bersifat tidak langsung, dengan informasi alamat mengalir hanya menuju DRAM. Kedua jalur ini di desai untuk memi
E. Dengan membuat suatu teknik yang mampu membuat memory melakukan searching terhadap data lebih cepat, maka dapat dipastikan system akan meningkat kecepatannya. Untuk dapat mpatibilitas DRAM Sebagaimana kita ketahui, ada berbagai tipe DRAM. Tiap tipe DRAM memiliki dan kinerja masing-masing. Namun, karena hal itu, tiap kita menggunakan model
ensupport DRAM yang kita gunakan. Misalnya kita menggunakan RDRAM, ila kita ingin menggunakannya dalam sistem yang mendukung SDRAM, tidak isa dilakukan. Alangkah merepotkannya masalah ini. Oleh karena itu, penulis nyai beberapa ide yang mungkin dapat digunakan untuk mengakomodasi masalah ara lain:
M
kita ketahui, cara kerja dari memory hampir semuanya sama. Beberapa bagian yang berbeda antara lain dari segi fisik (ukuran, jumlah pin kaki, dsb) serta mungkin beberapa instruksi tambahan b
Dengan menggunakan
DRAM dalam system berbeda-beda. Kita dapat menggunakan RDRAM dalam system yang seharusnya hanya mensupport SDRAM. Dengan demikian, akan memudahkan kita dalam berpindah sytem tanpa perlu mengganti memory yang kita miliki.
13
Desain DRAM untuk meningkatkan performa
______________________________________________________________________________________
Mungkin yang masih belum terpikirkan dalam benak penulis adalah “isi” konverter untuk mengakomodasi system dari segi pengaksesan data untuk tiap tipe DRAM yang berbeda. Namun, penulis yakin bahwa hal ini amat mungkin untuk ter
dapat digunakan untuk prosesor (untuk prosesor intel). Jadi dengan menggunakan alat ini, kita dapat memanfaatkan prosesor kita dalam platform yang bahkan tidak mendukung penggunaan prosesor jenis tersebut. Bila prosesor saja bisa, kenapa memory tidak?
pasitas DRAM Ada beberapa teknik yang dapat digunakan untuk meningkatkan kapasitas panan dari memory. Peningkatan kapasitas ini dapat dari segi desain intern pada emory itu sendiri, dari konfigurasi rangkaian atau komponen yang digunakan,
Dari sisi konfigurasi rangkaian, penulis menyarankan untuk memperbanyak komponen/rangkaian penyimpanan bit dalam memory. Dalam hal ini, komponen yang berperan dalam penyimpan adalah kapasitor dan transistor. Dengan melakukan penambahan terhadap jumlah komponen ini, dirasa dapat meningkatkan kapasitas dari memory. Penambahan ini dapat menambah ukuran fisik daripada memory. Padahal kita tahu bahwa ukuran dari memory sudah fix (standar). Oleh karena itu, perlu diingat juga, bahwa hal ini amat tergantung perkembangan
kapasitor akan
drastis dari fisik memory itu sendiri. • Dari sisi konfigurasi fisik rangkaian, sampai saat ini penulis hanya pernah melihat memory DRAM dengan chip yang berada pada satu baris saja (lihat gambar di bawah).
14
Desain DRAM untuk meningkatkan performa
______________________________________________________________________________________
Sebuah SDRAM PC100 dengan 4 buah IC Sehingga jumlah IC chip yang dapat ditampung dalam satu modul memory terbatas dari 8 hingga
Penulis mempunyai ide untuk menyusun chip memory tidak hanya dalam satu baris saja, melainkan dalam beberapa baris. Jadi, hal ini tidak akan mempengaruhi bentuk/jum
tipikal array memory sekarang in
Selama ini, memory DRAM, menggunakan model arsitektur array DRAM dalam 2 dimensi. Jadi, maksudnya, array dar
komponen, yaitu dalam komponen vertikal dan horizontal atau dapat disebut baris dan kolom. Dengan hanya menggunakan model 2 dimensi ini, maka tingkat kepadatan data dan kecepatan data tidak dapat meningkat dengan pesat. Selama ini, kita ketahui, peningkatan kemampuan memory, tidak lain hanya berasal dari peningkatan kemampuan chip memory saja, namun juga dari sisi platform pendukung maupun arsitektur memory sendiri secara keseluruhan.
Atas dasar itu, penulis berpikir kenapa tidak menggunakan model 3 dimensi saja? Dengan mengusahakan bentukan array memory dalam 3 dimensi, kita bisa mendapatkan m
15
Desain DRAM untuk meningkatkan performa
______________________________________________________________________________________
kita akan semakin besar. Arsitektur baru ini dapat direalisasi dengan memasukkan beberapa sel baru secara seri secara vertikal pada tiap sel yang terdapat di array matrix 2 dimensi. Dengan demikian, dapat dikatakan arsitektur dasarnya adalah model 2 dimensi yang mengalami modifikasi. Kapasitansi total bit-line dari arsitektur ini akan melebihi 37% dari DRAM normal, dimana satu bit-line memiliki 1-Kbit sel dan aturan desain yang sama digunakan. Lebih jauh lagi, area array dari 1-Mbit DRAM menggunakan arsitektur ini
yang menggunakan aturan desain yang sama. Arsitektur ini dapat mencapai kapasitansi bit-line yang kecil dan area array yang kecil secara simultan. Oleh karena itu, arsitektur array memori 3 dimensi ini akan cocok diterapkan untuk mencapai kerapatan DRAM yang sangat tinggi (Ultrahigh-density DRAM). Pemodelan array memory 3 dimensi ini dapat dilihat pada gambar di bawah ini:
Rancangan desain arsitektur array m
16
Desain DRAM untuk meningkatkan performa
______________________________________________________________________________________
atas, maka prinsip pengaksesan secara 2 jalur, baris dan kolom, tidak akan
berlaku lagi.
Yang terpikir dalam benak penulis adalah akan diterapkan pengaksesan
dengan 3 jalur, yaitu baris, kolom dan juga lapisan. Jadi pengaksesan suatu
sel memory akan berdasarkan pada “baris ke-berapa?”, “kolom keberapa?”
dan “lapis ke-berapa?”
4. Error Checking/Correction
Dari PC, high-end server, mobile information devices, dan lain-lain, DRAM
tertanam sebagai bagian tak terpisahkan dari alat-alat tersebut. Untuk dapat
meningkatkan kemampuan dari devais ini, amatlah penting untuk juga meningkatkan
performa DRAM.
Pada m
DRAM untuk dapat m
performa dan m
dalam era gigabit ini, akan m
akan menjadi sum t dengan serius menurunkan penerimaan sinyal
tegangan, sebuah faktor m
noise melebihi level sinyal yang dibaca, m
dalam mendesain sirkuit DRAM, am
tepat worst-case level n inyal dengan tepat.
Beberapa tindakan yang dilakukan adalah dengan menggunakan suatu
tode/algoritm ng dikenal penulis adalah metode “Hamming
Error-Corre
emproses data. Oleh karena itu, teknik error
correction ini kurang atau sedikit dig
asa lalu, hal ini akan diakomodasi dengan mengecilkan transistor pada endapatkan kecepatan tinggi dan penggunaan sumber yang rendah. engurangi harganya. Bagaimanapun juga, tindakan “mengecilkan” ini, enimbulkan fluktuasi besar pada parameter devais, dimana ber dari noise yang dapa
enentukan dari kegagalan bit dan performa sirkuit. Jika level aka kegagalan bit akan timbul. Oleh karena itu, atlah penting untuk dapat memperkirakan dengan oise dan meyakinkan keterbacaan s
mea korksi error. Salah satu ya
cting Code”. Selain itu, ada metode lain yang dilakukan untuk mengakomodasi masalah ini, yaitu dengan melakukan parity. Selain itu ada juga yang disebut dengan teknik “Reed-Solomon”. Teknik ini merupakan teknik yang paling hebat, namun amat menyita waktu untuk m
unakan dalam mendesain suatu system. Penulis sering berpikir, mengapa harus ada suatu teknik untuk menangani error pada data yang diproses? Kenapa tidak dibuat atau didesain saja suatu system yang tidak akan mengirimkan sesuatu data yang salah atau dengan kata lain, aliran data yang
17
Desain DRAM untuk meningkatkan performa
______________________________________________________________________________________
berjalan pada system tidak akan berubah karena sesuatu yang tidak terkontrol. Jadi, apapun yang diproses dalam suatu operasi merupakan data yang sudah benar adanya, karena ke-error-an tidak terjadi. Bila hal tersebut bisa direalisasikan, tentunya tidak akan perlu lagi adanya algoritma ataupun teknik error correction maupun error detection. Hal ini sudah tentu akan membawa peningkatan yang amat drastis dari perform
n system secara keseluruhan. Bila memang termasuk mustahil untuk menciptakan sesuatu system yang “sempurna” , mungkin memang perlu adanya suatu teknik yang mampu menangani masalah error ini. Dalam pikiran penulis, yang pertama kali terbayang adalah merancang suatu mekanisme dimana data yang dikirim dapat terdeteksi sepanjang jalurnya, sehingga bila ada perubahan data (error), bisa langsung ditangani saat itu juga, tanpa perlu ditampung dan di chek secara detail. Bila data di cek sesudah data tersebut ti
maka akan sulit/lama untuk mendeteksi bagian-bagian yang error. Bila di sepanjang jalan sudah di deteksi dan di koreksi, maka data yang sampai seharusnya sudah benar. Jadi, perbaikan data error dilakukan sepanjang data tersebut dikirimkan. Tentunya akan lebih mudah merasakan perubahan saat itu juga dibanding di “utak-atik” ketika sudah sampai seluruhnya.
18
Desain DRAM untuk meningkatkan performa
______________________________________________________________________________________
Daftar Pustaka
h
I
[S
19
